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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4983NFT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4983NFT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4983NFT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMFS4983NFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4983NFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 160A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 30V 160A 2.1MO |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 106 A |
Id-连续漏极电流 | 106 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4983NFT1G- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | NTMFS4983NFT1G |
Pd-PowerDissipation | 38 W |
Pd-功率耗散 | 38 W |
Qg-GateCharge | 47.9 nC |
Qg-栅极电荷 | 47.9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
上升时间 | 24.9 ns |
下降时间 | 10.7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3250pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.1 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | * |
典型关闭延迟时间 | 28.7 ns |
功率-最大值 | 1.7W |
功率耗散 | 38 W |
包装 | * |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | * |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2.1 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | * |
封装/箱体 | SO-8FL |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 47.9 nC |
标准包装 | 1,500 |
正向跨导-最小值 | 60 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 106 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Ta), 106A (Tc) |
系列 | NTMFS4983NF |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |