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Datasheet下载- 型号： NTMFS4937NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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NTMFS4937NT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4937NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4937NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4937NT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 10.2A（Ta），70A（Tc） 920mW（Ta），43W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）。您可以下载NTMFS4937NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4937NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 17.1 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4937NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4937NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.92 W |
| Pd-功率耗散 | 920 mW |
| Qg-GateCharge | 4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.63 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.63 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2516pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 5-DFN， 8-SO 扁引线 （5x6） |
| 其它名称 | NTMFS4937NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 920mW |
| 功率耗散 | 0.92 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN， 5 引线 |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 4 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 37 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 17.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.2A （Ta）， 70A （Tc） |
| 系列 | NTMFS4937N |
| 配置 | Single |
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