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Datasheet下载- 型号： NTMFS4936NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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NTMFS4936NT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4936NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4936NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4936NT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 11.6A（Ta），79A（Tc） 920mW（Ta），43W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）。您可以下载NTMFS4936NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4936NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的NTMFS4936NT1G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于各种电力电子领域。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理： NTMFS4936NT1G适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，降低功耗，特别适合需要高能效的设备。 2. 电机驱动： 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关性能和良好的热稳定性，确保电机运行平稳且能耗较低。 3. 负载开关： 在消费电子、计算机及外设中，作为负载开关使用，能够快速开启或关闭负载电路，同时减少能量损耗。 4. 电池保护与管理： 常见于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池管理系统，用于控制充放电过程，防止过流、短路等问题。 5. 工业自动化： 在工业控制领域，例如可编程逻辑控制器（PLC）和传感器接口，用作信号隔离或功率放大元件。 6. 汽车电子： 虽然不是车规级产品，但在非关键任务的汽车子系统中也可能被采用，比如车内照明、娱乐系统等低压应用。 7. 通信设备： 适用于基站、路由器和其他通信基础设施中的电源分配网络，保障稳定供电并优化能源利用率。 总之，NTMFS4936NT1G凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多需要高效功率转换和控制的应用场合中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11.6A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 19.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4936NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4936NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 43 W |
| Pd-功率耗散 | 43 W |
| Qg-GateCharge | 43 nC |
| Qg-栅极电荷 | 43 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3044pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.8 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 5-DFN， 8-SO 扁引线 （5x6） |
| 其它名称 | NTMFS4936NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 920mW |
| 功率耗散 | 43 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN， 5 引线 |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 43 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 50 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 19.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.6A （Ta）， 79A （Tc） |
| 系列 | NTMFS4936N |
| 配置 | Single |
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