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Datasheet下载- 型号： NTMFS4852NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4852NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4852NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4852NT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），155A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）。您可以下载NTMFS4852NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4852NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4852NT1G是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款单通道N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号的MOSFET因其出色的电气特性，在多个应用场景中表现出色，主要应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。 1. 电源管理 NTMFS4852NT1G常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度使其能够高效地进行电流控制，减少能量损耗。此外，它还适用于电池充电电路，确保充电过程中的电流稳定性和安全性。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，NTMFS4852NT1G可以作为功率级元件，用于控制电机的启动、停止和调速。其高耐压能力和大电流承载能力使得它能够在高负载条件下可靠工作，适用于小型直流电机、步进电机和无刷直流电机的驱动电路。 3. 信号切换 该MOSFET还可以用于信号切换电路中，例如音频设备中的静音控制、数据通信中的线路切换等。由于其低栅极电荷和快速响应时间，NTMFS4852NT1G能够在高频信号切换中保持良好的性能，减少信号失真和延迟。 4. 保护电路 NTMFS4852NT1G还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流的变化，MOSFET可以在异常情况下迅速切断电路，保护其他敏感元件免受损坏。其内置的ESD保护功能也增强了其在恶劣环境下的可靠性。 5. 便携式电子设备 在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，NTMFS4852NT1G可用于电源管理和背光驱动等场景。其紧凑的封装形式和高效的性能使其成为这些设备的理想选择。 总之，NTMFS4852NT1G凭借其优异的电气特性和广泛的适用性，在各种电力电子设备中发挥着重要作用，尤其是在需要高效、可靠和紧凑设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A SO8 FLMOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 155 A |
| Id-连续漏极电流 | 155 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4852NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4852NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 2.31 W |
| Pd-功率耗散 | 2.31 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4970pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 其它名称 | NTMFS4852NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta）， 155A （Tc） |
| 系列 | NTMFS4852N |
| 配置 | Single |
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