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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FLMOSFET NFET SO8FL 30V TR |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 35.5 A |
Id-连续漏极电流 | 35.5 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4845NT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMFS4845NT1G |
Pd-PowerDissipation | 5.95 W |
Pd-功率耗散 | 5.95 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
上升时间 | 48.5 ns |
下降时间 | 12.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3720pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 11.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.9 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
其它名称 | NTMFS4845NT1GOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 28.9 ns |
功率-最大值 | 890mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
封装/箱体 | SO-8FL |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13.7A (Ta), 115A (Tc) |
系列 | NTMFS4845 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain Triple Source |