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  • 型号: NTMFS4841NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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NTMFS4841NT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4841NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4841NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4841NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 8.3A (Ta), 57A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)。您可以下载NTMFS4841NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4841NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FLMOSFET NFET 30V 57A 7MOHM

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13.1 A

Id-连续漏极电流

13.1 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4841NT1G-

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产品型号

NTMFS4841NT1G

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

66.5 ns

下降时间

7.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1436pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

5-DFN, 8-SO 扁引线 (5x6)

其它名称

NTMFS4841NT1GOSDKR

典型关闭延迟时间

15.5 ns

功率-最大值

870mW

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN, 5 引线

封装/箱体

SO-8FL

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

16 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.3A (Ta), 57A (Tc)

系列

NTMFS4841N

通道模式

Enhancement

配置

Single

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