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  • 型号: NTMFS4841NHT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTMFS4841NHT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4841NHT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4841NHT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4841NHT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 8.6A(Ta),59A(Tc) 870mW(Ta),41.7W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)。您可以下载NTMFS4841NHT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4841NHT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMFS4841NHT1G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   NTMFS4841NHT1G 常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电池充电电路。其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高电流应用中能够减少功率损耗,提高效率。此外,该器件的快速开关速度有助于减少开关损耗,提升整体电源转换效率。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中,NTMFS4841NHT1G 可用于控制电机的启停、调速和方向。由于其低导通电阻和良好的热性能,它能够在高负载条件下保持稳定工作,适用于小型无刷直流电机(BLDC)和其他电动工具的驱动电路。

 3. 消费电子
   该器件广泛应用于消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可用于USB充电接口的保护电路、电源适配器中的开关元件,以及音频放大器的功率输出级。其紧凑的封装形式(SOT-23)使得它非常适合空间受限的应用场景。

 4. 工业自动化
   在工业自动化领域,NTMFS4841NHT1G 可用于各种传感器接口、继电器驱动、电磁阀控制等场合。它的高可靠性和稳定性确保了在恶劣工业环境下的长期可靠运行。同时,其低功耗特性也有助于降低系统的整体能耗。

 5. 汽车电子
   尽管 NTMFS4841NHT1G 并不是专门为汽车应用设计的,但它仍然可以在一些非关键性的汽车电子系统中找到应用,如车内照明控制、风扇控制、座椅调节等。其宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其能够适应汽车环境中较大的温差变化。

总之,NTMFS4841NHT1G 凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种需要高效功率管理和精确控制的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FLMOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

21.8 A

Id-连续漏极电流

21.8 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4841NHT1G-

数据手册

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产品型号

NTMFS4841NHT1G

Pd-PowerDissipation

5.7 W

Pd-功率耗散

5.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

23.3 ns, 20.6 ns

下降时间

4.9 ns, 2.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2113pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 11.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

5-DFN, 8-SO 扁引线 (5x6)

其它名称

NTMFS4841NHT1GOSCT

典型关闭延迟时间

14.1 ns, 21.9 ns

功率-最大值

870mW

功率耗散

5.7 W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

7 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN, 5 引线

封装/箱体

SO-8FL

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

21.8 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.6A (Ta), 59A (Tc)

系列

NTMFS4841NH

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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