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NTMFS4841NHT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4841NHT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4841NHT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4841NHT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 8.6A(Ta),59A(Tc) 870mW(Ta),41.7W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)。您可以下载NTMFS4841NHT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4841NHT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4841NHT1G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 NTMFS4841NHT1G 常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电池充电电路。其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高电流应用中能够减少功率损耗,提高效率。此外,该器件的快速开关速度有助于减少开关损耗,提升整体电源转换效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,NTMFS4841NHT1G 可用于控制电机的启停、调速和方向。由于其低导通电阻和良好的热性能,它能够在高负载条件下保持稳定工作,适用于小型无刷直流电机(BLDC)和其他电动工具的驱动电路。 3. 消费电子 该器件广泛应用于消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。它可用于USB充电接口的保护电路、电源适配器中的开关元件,以及音频放大器的功率输出级。其紧凑的封装形式(SOT-23)使得它非常适合空间受限的应用场景。 4. 工业自动化 在工业自动化领域,NTMFS4841NHT1G 可用于各种传感器接口、继电器驱动、电磁阀控制等场合。它的高可靠性和稳定性确保了在恶劣工业环境下的长期可靠运行。同时,其低功耗特性也有助于降低系统的整体能耗。 5. 汽车电子 尽管 NTMFS4841NHT1G 并不是专门为汽车应用设计的,但它仍然可以在一些非关键性的汽车电子系统中找到应用,如车内照明控制、风扇控制、座椅调节等。其宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其能够适应汽车环境中较大的温差变化。 总之,NTMFS4841NHT1G 凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种需要高效功率管理和精确控制的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FLMOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 21.8 A |
Id-连续漏极电流 | 21.8 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4841NHT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMFS4841NHT1G |
Pd-PowerDissipation | 5.7 W |
Pd-功率耗散 | 5.7 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 23.3 ns, 20.6 ns |
下降时间 | 4.9 ns, 2.9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2113pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 11.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 5-DFN, 8-SO 扁引线 (5x6) |
其它名称 | NTMFS4841NHT1GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 14.1 ns, 21.9 ns |
功率-最大值 | 870mW |
功率耗散 | 5.7 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 7 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN, 5 引线 |
封装/箱体 | SO-8FL |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 21.8 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.6A (Ta), 59A (Tc) |
系列 | NTMFS4841NH |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |