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  • 型号: NTMFS4823NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4823NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4823NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4823NT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMFS4823NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4823NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FLMOSFET NFET SO8FL 30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4823NT1G-

数据手册

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产品型号

NTMFS4823NT1G

Pd-PowerDissipation

5.43 W

Pd-功率耗散

5.43 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

15.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

15.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

上升时间

29 ns

下降时间

3.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

795pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 11.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10.6 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)

其它名称

NTMFS4823NT1GOSDKR

典型关闭延迟时间

12.7 ns

功率-最大值

860mW

功率耗散

5.43 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

15.6 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸焊盘(5 根引线)

封装/箱体

DFN-6

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

26 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

30 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.9A (Ta), 30A (Tc)

系列

NTMFS4823N

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 16 V

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