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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFD4902NFT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFD4902NFT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFD4902NFT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMFD4902NFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFD4902NFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFNMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 通道(双),肖特基 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18.2 A |
Id-连续漏极电流 | 18.2 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFD4902NFT1G- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | NTMFD4902NFT1G |
Pd-PowerDissipation | 3.45 W |
Pd-功率耗散 | 3.45 W |
Qg-GateCharge | 9.7 nC, 11.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.7 nC, 11.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
上升时间 | 15 ns, 15.2 ns |
下降时间 | 4 ns, 4.7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-DFN(5x6) |
典型关闭延迟时间 | 14 ns, 17.7 ns |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | DFN-8 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,500 |
正向跨导-最小值 | 28 S, 35 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13.5A |
系列 | NTMFD4902NF |
配置 | Dual |