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Datasheet下载- 型号： NTMD6P02R2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NTMD6P02R2G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6P02R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6P02R2G价格参考。ON SemiconductorNTMD6P02R2G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 4.8A 750mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD6P02R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD6P02R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOICMOSFET 20V 6A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 7.8 A |
| Id-连续漏极电流 | - 7.8 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD6P02R2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMD6P02R2G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 65 ns, 20 ns |
| 下降时间 | 80 ns, 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFETs- Power and Small Signal |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMD6P02R2GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns, 85 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 27 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 7.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A |
| 系列 | NTMD6P02 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 12 V |
