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NTMD6N03R2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6N03R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6N03R2G价格参考。ON SemiconductorNTMD6N03R2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6A 1.29W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD6N03R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD6N03R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD6N03R2G是由ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)阵列。该型号的应用场景广泛,尤其适用于需要多通道开关和功率管理的电子设备中。 主要应用场景: 1. 电源管理: - NTMD6N03R2G可用于电源管理系统中的多通道开关,例如在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中。它能够高效地控制多个电源路径,确保电力分配的精确性和稳定性。 2. 电机控制: - 在小型电机控制系统中,如无人机、电动工具和家用电器(如风扇、吸尘器等),NTMD6N03R2G可以用于驱动和控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻特性有助于减少能耗,提高效率。 3. 信号切换: - 该器件适用于需要频繁进行信号切换的应用,如音频设备、通信设备和测试仪器等。它可以快速且可靠地切换不同的信号路径,确保信号传输的稳定性和准确性。 4. 负载开关: - 在各种消费类电子产品中,NTMD6N03R2G可以用作负载开关,控制不同负载的供电状态。例如,在USB充电器或电源适配器中,它可以实现对多个输出端口的独立控制,防止过流和短路。 5. 电池管理系统: - 在电池管理系统(BMS)中,NTMD6N03R2G可用于监控和保护电池组。它能够检测电池的电压、电流和温度,并在异常情况下切断电路,确保电池的安全使用。 6. 工业自动化: - 在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和执行器控制模块,NTMD6N03R2G可以用于实现高效的信号处理和功率控制,提升系统的响应速度和可靠性。 7. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车身控制模块(BCM)、LED照明驱动和电动助力转向系统(EPS),NTMD6N03R2G可以提供可靠的功率管理和信号切换功能,满足汽车电子对性能和安全性的严格要求。 总之,NTMD6N03R2G凭借其优异的电气特性和多通道设计,适用于多种需要高效功率管理和信号切换的应用场景,广泛应用于消费电子、工业自动化和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICMOSFET NFET 30V SPCL TR |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
Id-连续漏极电流 | 6 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD6N03R2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMD6N03R2G |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 27 ns, 22 ns |
下降时间 | 34 ns, 45 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 24V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 32 毫欧 @ 6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NTMD6N03R2GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 22 ns, 45 ns |
功率-最大值 | 1.29W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 32 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 10 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 6 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A |
系列 | NTMD6N03 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Dual Drain |