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  • 型号: NTMD6N03R2G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTMD6N03R2G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6N03R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6N03R2G价格参考。ON SemiconductorNTMD6N03R2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6A 1.29W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD6N03R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD6N03R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMD6N03R2G是由ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)阵列。该型号的应用场景广泛,尤其适用于需要多通道开关和功率管理的电子设备中。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - NTMD6N03R2G可用于电源管理系统中的多通道开关,例如在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中。它能够高效地控制多个电源路径,确保电力分配的精确性和稳定性。
   
2. 电机控制:
   - 在小型电机控制系统中,如无人机、电动工具和家用电器(如风扇、吸尘器等),NTMD6N03R2G可以用于驱动和控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻特性有助于减少能耗,提高效率。

3. 信号切换:
   - 该器件适用于需要频繁进行信号切换的应用,如音频设备、通信设备和测试仪器等。它可以快速且可靠地切换不同的信号路径,确保信号传输的稳定性和准确性。

4. 负载开关:
   - 在各种消费类电子产品中,NTMD6N03R2G可以用作负载开关,控制不同负载的供电状态。例如,在USB充电器或电源适配器中,它可以实现对多个输出端口的独立控制,防止过流和短路。

5. 电池管理系统:
   - 在电池管理系统(BMS)中,NTMD6N03R2G可用于监控和保护电池组。它能够检测电池的电压、电流和温度,并在异常情况下切断电路,确保电池的安全使用。

6. 工业自动化:
   - 在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和执行器控制模块,NTMD6N03R2G可以用于实现高效的信号处理和功率控制,提升系统的响应速度和可靠性。

7. 汽车电子:
   - 在汽车电子系统中,如车身控制模块(BCM)、LED照明驱动和电动助力转向系统(EPS),NTMD6N03R2G可以提供可靠的功率管理和信号切换功能,满足汽车电子对性能和安全性的严格要求。

总之,NTMD6N03R2G凭借其优异的电气特性和多通道设计,适用于多种需要高效功率管理和信号切换的应用场景,广泛应用于消费电子、工业自动化和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICMOSFET NFET 30V SPCL TR

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD6N03R2G-

数据手册

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产品型号

NTMD6N03R2G

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

32 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

32 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

27 ns, 22 ns

下降时间

34 ns, 45 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

950pF @ 24V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

32 毫欧 @ 6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

NTMD6N03R2GOSCT

典型关闭延迟时间

22 ns, 45 ns

功率-最大值

1.29W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

32 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

10 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

6 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A

系列

NTMD6N03

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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