【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_NTMD6N03R2】封装/厂家_NTMD6N03R2中文资料_价格

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型号： NTMD6N03R2
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6N03R2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6N03R2价格参考。ON SemiconductorNTMD6N03R2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 6A 1.29W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD6N03R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD6N03R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMD6N03R2 是由 ON Semiconductor 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET 阵列。这款器件主要应用于需要高效、低损耗开关操作的电路中，尤其是在功率管理和信号处理方面表现出色。以下是该型号的一些具体应用场景：

1. 电源管理：NTMD6N03R2 适用于各种电源管理系统，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池充电器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高转换效率。

2. 电机驱动：在小型电机控制应用中，例如无人机、电动工具和家电中的电机驱动电路，NTMD6N03R2 可以提供快速响应和精确控制。其低电容和快速开关速度有助于降低电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。

3. 负载切换：用于智能设备中的负载切换，如智能手机和平板电脑中的电源路径管理。NTMD6N03R2 的低导通电阻和小封装尺寸使其非常适合这些对空间和效率有严格要求的应用。

4. 通信设备：在网络通信设备、路由器和交换机中，NTMD6N03R2 可用于电源管理模块，确保设备在不同工作状态下都能保持高效运行。此外，它还可以用于保护电路，防止过流和短路故障。

5. 汽车电子：在汽车电子系统中，如车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动和辅助驾驶系统的电源管理，NTMD6N03R2 提供了高可靠性和耐久性，满足汽车行业的严格标准。

6. 工业自动化：在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）和传感器接口电路，NTMD6N03R2 可以实现高效的信号传输和功率控制，确保系统的稳定性和可靠性。

总之，NTMD6N03R2 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计，在多种应用领域中展现出卓越的表现，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NTMD6N03R2
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	950pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	30nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	32 毫欧 @ 6A，10V
供应商器件封装	8-SOIC N
其它名称	NTMD6N03R2OS
功率-最大值	2W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6A