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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6N02R2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6N02R2价格参考。ON SemiconductorNTMD6N02R2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMD6N02R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD6N02R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTMD6N02R2 |
PCN设计/规格 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 6A,4.5V |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NTMD6N02R2OS |
功率-最大值 | 730mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.92A |