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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD5838NLR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD5838NLR2G价格参考¥1.29-¥1.29。ON SemiconductorNTMD5838NLR2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 40V 7.4A 2.1W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD5838NLR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD5838NLR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD5838NLR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道 MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。这款元器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:NTMD5838NLR2G 适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、USB 充电器等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高转换效率,特别是在需要高效能和小体积设计的应用中表现优异。 2. 电机驱动:在无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电动机控制系统中,该 MOSFET 可作为开关元件,实现对电流的精确控制,确保电机平稳运行并延长使用寿命。 3. 电池保护电路:对于锂离子电池组或其它可充电电池系统,它可以用作充放电路径上的保护开关,防止过流、短路等异常情况发生,保障电池安全。 4. 汽车电子:在汽车行业中,此款 MOSFET 广泛应用于车身控制模块(BCM)、启动马达、发电机整流桥、LED 照明驱动等方面,满足车辆电气化趋势下的高性能要求。 5. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,NTMD5838NLR2G 也常被用作负载开关或同步整流器,帮助优化电源管理和散热设计。 总之,NTMD5838NLR2G 凭借其卓越的电气特性,在众多涉及功率转换与控制的应用场景中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOICMOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.4 A |
Id-连续漏极电流 | 7.4 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD5838NLR2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMD5838NLR2G |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 785pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 7A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
功率-最大值 | 2.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.4A |
系列 | NTMD5838NL |
配置 | Dual |