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  • 型号: NTMD5838NLR2G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD5838NLR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD5838NLR2G价格参考¥1.29-¥1.29。ON SemiconductorNTMD5838NLR2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 40V 7.4A 2.1W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD5838NLR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD5838NLR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMD5838NLR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道 MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。这款元器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用领域。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理:NTMD5838NLR2G 适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、USB 充电器等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高转换效率,特别是在需要高效能和小体积设计的应用中表现优异。

2. 电机驱动:在无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电动机控制系统中,该 MOSFET 可作为开关元件,实现对电流的精确控制,确保电机平稳运行并延长使用寿命。

3. 电池保护电路:对于锂离子电池组或其它可充电电池系统,它可以用作充放电路径上的保护开关,防止过流、短路等异常情况发生,保障电池安全。

4. 汽车电子:在汽车行业中,此款 MOSFET 广泛应用于车身控制模块(BCM)、启动马达、发电机整流桥、LED 照明驱动等方面,满足车辆电气化趋势下的高性能要求。

5. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,NTMD5838NLR2G 也常被用作负载开关或同步整流器,帮助优化电源管理和散热设计。

总之,NTMD5838NLR2G 凭借其卓越的电气特性,在众多涉及功率转换与控制的应用场景中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOICMOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

7.4 A

Id-连续漏极电流

7.4 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD5838NLR2G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

NTMD5838NLR2G

Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

785pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

25 毫欧 @ 7A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

功率-最大值

2.1W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.4A

系列

NTMD5838NL

配置

Dual

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