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  • 型号: NTMD4N03R2G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD4N03R2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD4N03R2G价格参考¥1.20-¥2.27。ON SemiconductorNTMD4N03R2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 4A 2W 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NTMD4N03R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMD4N03R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOICMOSFET 30V 4A N-Channel

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD4N03R2G-

数据手册

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产品型号

NTMD4N03R2G

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

48 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

48 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

14 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

400pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

NTMD4N03R2GOSDKR

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

48 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

6 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

4 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A

系列

NTMD4N03

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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