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  • 型号: NTLUF4189NZTAG
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUF4189NZTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUF4189NZTAG价格参考。ON SemiconductorNTLUF4189NZTAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTLUF4189NZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLUF4189NZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFNMOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.5 A

Id-连续漏极电流

1.5 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLUF4189NZTAG-

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产品型号

NTLUF4189NZTAG

Pd-PowerDissipation

1.3 W

Pd-功率耗散

1.3 W

Qg-GateCharge

1.4 nC

Qg-栅极电荷

1.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

145 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

145 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.1 V

上升时间

4.5 ns

下降时间

1.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

95pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 1.5A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-UDFN(1.6x1.6)

典型关闭延迟时间

10.2 ns

功率-最大值

500mW

功率耗散

1.3 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

145 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-UFDFN 裸露焊盘

封装/箱体

UDFN-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

1.4 nC

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

1.1 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

1.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.2A (Ta)

系列

NTLUF4189NZ

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 8 V

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