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  • 型号: NTLUD3A50PZTAG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUD3A50PZTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUD3A50PZTAG价格参考。ON SemiconductorNTLUD3A50PZTAG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2.8A 500mW 表面贴装 6-UDFN(2x2)。您可以下载NTLUD3A50PZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLUD3A50PZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 5.6A UDFNMOSFET PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 5.6 A

Id-连续漏极电流

- 5.6 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLUD3A50PZTAG-

数据手册

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产品型号

NTLUD3A50PZTAG

Pd-PowerDissipation

1.4 W

Pd-功率耗散

1.4 W

Qg-GateCharge

10.4 nC

Qg-栅极电荷

10.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

50 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

0.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

0.5 V

上升时间

12 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

920pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.4nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 4A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

*

典型关闭延迟时间

39 ns

功率-最大值

500mW

包装

*

商标

ON Semiconductor

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

50 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

*

封装/箱体

UDFN-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

16 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 5.6 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.8A

系列

NTLUD3A50PZ

配置

Dual

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