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Datasheet下载- 型号： NTLUD3A50PZTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUD3A50PZTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUD3A50PZTAG价格参考。ON SemiconductorNTLUD3A50PZTAG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 2.8A 500mW 表面贴装 6-UDFN（2x2）。您可以下载NTLUD3A50PZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLUD3A50PZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NTLUD3A50PZTAG是一款双通道N沟道逻辑电平MOSFET阵列，具有低导通电阻和快速开关特性。这款器件适用于多种应用场景，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的电路中。 1. 电源管理：NTLUD3A50PZTAG常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高整体效率，特别适合电池供电设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。 2. 负载开关：在便携式电子设备中，该器件可用作负载开关，控制不同负载的电源通断。其快速开关特性和低栅极电荷使得开关过程更加迅速且高效，减少了开关瞬态对系统的干扰。 3. 电机驱动：对于小型电机驱动应用，如无人机、机器人和消费电子产品中的微型电机，NTLUD3A50PZTAG能够提供精确的电流控制，确保电机平稳运行。其低导通电阻也有助于降低发热，延长使用寿命。 4. 信号切换：在通信设备和音频处理系统中，NTLUD3A50PZTAG可以作为信号切换元件，实现多路信号的选择与切换。其低寄生电容和快速响应时间保证了信号的完整性和稳定性。 5. 保护电路：该器件还可以用于过流保护、短路保护等安全机制中。通过检测异常电流并迅速切断电路，有效防止损坏其他敏感元件，提升系统的安全性。 总之，NTLUD3A50PZTAG凭借其优异的电气性能和可靠性，在各种需要高性能、低功耗及快速响应的应用领域中表现出色，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.6A UDFNMOSFET PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.6 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLUD3A50PZTAG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTLUD3A50PZTAG |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| Qg-GateCharge | 10.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.5 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | UDFN-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 5.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A |
| 系列 | NTLUD3A50PZ |
| 配置 | Dual |
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