ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > NTLUD3A50PZTAG
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUD3A50PZTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUD3A50PZTAG价格参考。ON SemiconductorNTLUD3A50PZTAG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2.8A 500mW 表面贴装 6-UDFN(2x2)。您可以下载NTLUD3A50PZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLUD3A50PZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 5.6A UDFNMOSFET PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.6 A |
Id-连续漏极电流 | - 5.6 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLUD3A50PZTAG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTLUD3A50PZTAG |
Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
Pd-功率耗散 | 1.4 W |
Qg-GateCharge | 10.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 10.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.5 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 4A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | * |
典型关闭延迟时间 | 39 ns |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | * |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | * |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 50 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | * |
封装/箱体 | UDFN-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 16 S |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | - 5.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.8A |
系列 | NTLUD3A50PZ |
配置 | Dual |