Datasheet下载- 型号： NTLJD3119CTBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD3119CTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD3119CTBG价格参考。ON SemiconductorNTLJD3119CTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJD3119CTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJD3119CTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFNMOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLJD3119CTBGµCool™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTLJD3119CTBG |
| Pd-PowerDissipation | 0.71 W |
| Pd-功率耗散 | 710 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 21 V, - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 4.7 ns, 13.2 ns |
| 下降时间 | 4.7 ns, 13.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 271pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 其它名称 | NTLJD3119CTBGOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 11.1 ns, 13.7 ns |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 65 mOhms at 4.5 V at N Channel, 100 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | 506AN-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.2 S, 3.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 21 V, - 20 V |
| 漏极连续电流 | 3.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A，2.3A |
| 系列 | NTLJD3119C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
