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  • 型号: NTLJD3115PT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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NTLJD3115PT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD3115PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD3115PT1G价格参考。ON SemiconductorNTLJD3115PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2.3A 710mW 表面贴装 6-WDFN(2x2)。您可以下载NTLJD3115PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLJD3115PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFNMOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

3.3 A

Id-连续漏极电流

3.3 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLJD3115PT1G-

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产品型号

NTLJD3115PT1G

Pd-PowerDissipation

1500 mW

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms at 4.5 V

RdsOn-漏源导通电阻

106 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

13.2 ns, 15 ns

下降时间

13.2 ns, 15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

531pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 2A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-WDFN(2x2)

其它名称

NTLJD3115PT1G-ND
NTLJD3115PT1GOSTR

典型关闭延迟时间

13.7 ns, 19.8 ns

功率-最大值

710mW

功率耗散

1500 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

100 mOhms at 4.5 V

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN2020-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

3.3 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.3A

系列

NTLJD3115P

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

+/- 8 V

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