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  • 型号: NTK3139PT5G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTK3139PT5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTK3139PT5G价格参考。ON SemiconductorNTK3139PT5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTK3139PT5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTK3139PT5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 660MA SOT-723MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 780 mA

Id-连续漏极电流

- 780 mA

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTK3139PT5G-

数据手册

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产品型号

NTK3139PT5G

Pd-PowerDissipation

0.31 W

Pd-功率耗散

310 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

380 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

380 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 6 V

Vgs-栅源极击穿电压

6 V

上升时间

5.8 ns

下降时间

5.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

170pF @ 16V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

480 毫欧 @ 780mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-723

典型关闭延迟时间

32.7 ns

功率-最大值

310mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-723

封装/箱体

SOT-723-3

工厂包装数量

8000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

8,000

正向跨导-最小值

1.2 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

660mA (Ta)

系列

NTK3139P

通道模式

Enhancement

配置

Single

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