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Datasheet下载- 型号： NTK3134NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTK3134NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTK3134NT1G价格参考。ON SemiconductorNTK3134NT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 750mA（Ta） 310mW（Ta） SOT-723。您可以下载NTK3134NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTK3134NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTK3134NT1G是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电源管理和信号切换应用。以下是该型号的具体应用场景： 1. 电源管理 NTK3134NT1G常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得在大电流条件下，功耗较低，提高了电源效率。此外，它能够快速响应负载变化，确保输出电压的稳定性。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，NTK3134NT1G可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和调速。它的高开关频率和低导通损耗使其适合应用于步进电机、直流无刷电机等需要高效能驱动的应用场景。 3. 电池管理系统 该MOSFET可用于电池充电和放电保护电路中，通过精确控制电流路径来防止过充、过放和短路等问题。其低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命并提高系统的安全性。 4. 负载开关 在消费电子设备如智能手机、平板电脑等中，NTK3134NT1G可用作负载开关，实现对不同功能模块的供电控制。它能够在微秒级时间内完成开关操作，确保设备在待机或休眠模式下功耗最小化。 5. LED驱动 对于LED照明系统，NTK3134NT1G可以用于恒流源电路中，确保LED灯珠获得稳定的电流供应，从而实现亮度均匀且节能的效果。同时，它还可以用于调光电路中，通过PWM（脉宽调制）方式调节LED亮度。 6. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中，NTK3134NT1G可用于电源分配网络中的开关和保护电路，确保信号传输的稳定性和可靠性。 总之，NTK3134NT1G凭借其优异的电气特性和可靠性，在各种电力电子设备中得到了广泛应用，特别是在需要高效能、低功耗和快速响应的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723MOSFET 20V/6V N CH T1 890mA 0.3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 890 mA |
| Id-连续漏极电流 | 890 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTK3134NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTK3134NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.31 W |
| Pd-功率耗散 | 310 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| 上升时间 | 4.8 ns |
| 下降时间 | 4.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 120pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 890mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 其它名称 | NTK3134NT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 17.3 ns |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 0.31 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 890 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA （Ta） |
| 系列 | NTK3134N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 6 V |
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