ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTK3043NT1G
Datasheet下载- 型号： NTK3043NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTK3043NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTK3043NT1G价格参考。ON SemiconductorNTK3043NT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 210mA（Ta） 310mW（Ta） SOT-723。您可以下载NTK3043NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTK3043NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTK3043NT1G是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单个N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号的MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，适用于多种应用场景。 主要应用场景： 1. 电源管理： - NTK3043NT1G广泛应用于DC-DC转换器、线性稳压器、负载开关等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率，特别适合用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的电源管理电路。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵、伺服电机等，NTK3043NT1G可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻使其能够高效地切换电流，减少发热并延长电机寿命。 3. 电池保护电路： - 该MOSFET可用于锂电池、铅酸电池等电池组的保护电路中，防止过充、过放、短路等情况。通过精确控制充电和放电路径，确保电池的安全和稳定运行。 4. 信号切换与隔离： - 在通信设备、工业控制系统中，NTK3043NT1G可以用作信号切换和隔离元件，实现不同电压或电流等级之间的信号传输。其低寄生电容和快速开关特性有助于保持信号的完整性和响应速度。 5. LED驱动： - 在LED照明系统中，NTK3043NT1G可以用于恒流源或PWM调光电路，控制LED的亮度和颜色。其高效的开关性能和低功耗特性使得LED灯具更加节能和耐用。 6. 消费电子设备： - 该MOSFET还广泛应用于各种消费电子产品中，如智能手表、智能家居设备、游戏机等，用于电源管理和信号处理，提供稳定的性能和可靠的保护功能。 总之，NTK3043NT1G凭借其出色的电气特性，在多个领域中发挥着重要作用，特别是在需要高效、可靠和低功耗的场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723MOSFET NFET 20V 285mA TR |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 210 mA |
| Id-连续漏极电流 | 210 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTK3043NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTK3043NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.44 W |
| Pd-功率耗散 | 440 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 其它名称 | NTK3043NT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 94 ns |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.275 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 210mA （Ta） |
| 系列 | NTK3043N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
