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  • 型号: NTJS3157NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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NTJS3157NT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJS3157NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJS3157NT1G价格参考。ON SemiconductorNTJS3157NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJS3157NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJS3157NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363MOSFET 20V 4A N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTJS3157NT1G-

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产品型号

NTJS3157NT1G

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

70 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

70 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

12 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

500pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 4A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

其它名称

NTJS3157NT1G-ND
NTJS3157NT1GOSTR

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

1W

功率耗散

1 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

70 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-88-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

9 S

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

4 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.2A (Ta)

系列

NTJS3157N

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

闸/源击穿电压

+/- 8 V

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