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Datasheet下载- 型号： NTJD5121NT2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD5121NT2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD5121NT2G价格参考。ON SemiconductorNTJD5121NT2G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 295mA 250mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD5121NT2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJD5121NT2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTJD5121NT2G是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款MOSFET阵列晶体管。它主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中，适用于多种电力电子设备和系统。以下是该型号的具体应用场景： 1. 电源管理：NTJD5121NT2G常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。同时，快速开关速度使得它在高频应用中表现优异，能够有效降低电磁干扰（EMI）。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机控制系统中，这款MOSFET可以作为驱动级元件，实现精确的速度和位置控制。其高电流承载能力和良好的热性能确保了系统的稳定性和可靠性。 3. 电池保护与充电电路：对于锂电池等储能设备的保护和充电电路而言，NTJD5121NT2G能提供过流、短路保护功能，并且支持快速充放电操作，保证电池的安全使用。 4. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和平板电视等便携式或家用电器内部的电源管理和信号切换模块中也广泛应用此器件。由于其小型化封装设计，非常适合紧凑型产品设计需求。 5. 工业自动化：在工厂自动化生产线上的PLC控制器、伺服驱动器以及传感器接口电路里，NTJD5121NT2G凭借其坚固耐用的结构和出色的电气参数成为理想选择。 总之，NTJD5121NT2G凭借其卓越的性能特点，在众多领域都展现了广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363MOSFET NFET SC88D 60V 295mA |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 295 mA |
| Id-连续漏极电流 | 295 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTJD5121NT2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTJD5121NT2G |
| Pd-PowerDissipation | 0.25 W |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| Qg-GateCharge | 0.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 26pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 80 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 295mA |
| 系列 | NTJD5121N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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