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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4401NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4401NT1G价格参考¥0.50-¥0.91。ON SemiconductorNTJD4401NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 630mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4401NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4401NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 775 mA |
Id-连续漏极电流 | 775 mA |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTJD4401NT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTJD4401NT1G |
Pd-PowerDissipation | 0.27 W |
Pd-功率耗散 | 270 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 510 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 510 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 227 ns |
下降时间 | 227 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 375 毫欧 @ 630mA,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | NTJD4401NT1GOS |
典型关闭延迟时间 | 786 ns |
功率-最大值 | 270mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-88-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 2 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 630mA |
系列 | NTJD4401N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |