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  • 型号: NTJD4105CT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4105CT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4105CT4G价格参考。ON SemiconductorNTJD4105CT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V,8V 630mA,775mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4105CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4105CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTJD4105CT4G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于需要高效开关和功率管理的电路中。其应用场景非常广泛,尤其是在电源管理和电机控制领域。以下是该器件的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   NTJD4105CT4G 常用于各种电源管理电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电压调节模块(VRM)等。它可以在这些电路中充当高效的开关元件,帮助实现快速的导通和关断,从而提高电源转换效率,减少能量损耗。此外,该器件的低导通电阻(Rds(on))特性使其在大电流应用中表现出色,能够有效降低发热,延长设备寿命。

 2. 电机驱动
   在电机控制领域,NTJD4105CT4G 可以用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它能够承受较大的电流冲击,并且具有较快的开关速度,适合于需要频繁启停或调速的应用场景。例如,在电动工具、家用电器(如吸尘器、洗衣机等)以及工业自动化设备中,MOSFET 的高效性能可以显著提升系统的响应速度和稳定性。

 3. 负载开关
   作为负载开关,NTJD4105CT4G 可以用于保护电路中的关键组件免受过流、短路等异常情况的影响。通过快速切断电源供应,它可以防止下游电路受到损坏。这种应用常见于消费电子设备、汽车电子系统以及通信设备中,确保系统的安全性和可靠性。

 4. 电池管理系统
   在电池管理系统(BMS)中,NTJD4105CT4G 可以用于控制电池充放电过程中的电流流动。它能够根据电池的状态(如电压、温度等)动态调整开关状态,确保电池始终工作在安全范围内。这对于电动汽车、储能系统以及其他依赖电池供电的设备尤为重要。

 5. 信号放大与隔离
   尽管 MOSFET 主要用于开关应用,但在某些情况下,它也可以用于信号放大或隔离。NTJD4105CT4G 可以在低噪声、高增益的模拟电路中发挥作用,特别是在需要将弱信号放大并传输到远端时,它的高输入阻抗和低输出阻抗特性非常有用。

总的来说,NTJD4105CT4G 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电子设备中,尤其在需要高效功率管理和快速响应的场景下表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTJD4105CT4G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

46pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

375 毫欧 @ 630mA,4.5V

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率-最大值

270mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装

10,000

漏源极电压(Vdss)

20V,8V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

630mA,775mA

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