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  • 型号: NTJD4105CT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4105CT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4105CT4G价格参考。ON SemiconductorNTJD4105CT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V,8V 630mA,775mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4105CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4105CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTJD4105CT4G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

46pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

375 毫欧 @ 630mA,4.5V

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率-最大值

270mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装

10,000

漏源极电压(Vdss)

20V,8V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

630mA,775mA

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