【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_NTJD4105CT4G】封装/厂家_NTJD4105CT4G中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > NTJD4105CT4G

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： NTJD4105CT4G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4105CT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4105CT4G价格参考。ON SemiconductorNTJD4105CT4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V，8V 630mA，775mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4105CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJD4105CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTJD4105CT4G 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的晶体管阵列，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件具有多种应用场景，尤其适用于需要高效、低功耗和紧凑设计的电路中。

 主要应用场景

1. 电源管理
   - DC-DC转换器：NTJD4105CT4G 可用于设计高效的 DC-DC 转换器，特别是在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。
   - 负载开关：在电源管理系统中，该器件可以用作负载开关，控制不同负载的电源分配，确保系统的稳定性和安全性。

2. 电机驱动
   - 小型电机控制：在消费电子和工业应用中，NTJD4105CT4G 可用于驱动小型直流电机或步进电机。其快速开关特性和低功耗特性使其成为电机驱动的理想选择，尤其是在需要频繁启停的应用中。

3. 信号切换
   - 模拟信号切换：该器件可用于音频、视频等模拟信号的切换，确保信号传输的稳定性和完整性。其低电容和快速响应时间使得它在高速信号切换应用中表现出色。
   - 数字信号切换：在数字电路中，NTJD4105CT4G 可用于实现多路复用和解复用功能，支持高速数据传输。

4. 保护电路
   - 过流保护：该器件可以集成到过流保护电路中，防止电流过大对系统造成损害。其内置的限流功能可以在检测到异常电流时自动断开电路，保护其他元件免受损坏。
   - ESD保护：NTJD4105CT4G 具有一定的静电放电（ESD）防护能力，能够在一定程度上保护敏感电路免受静电冲击的影响。

5. 通信设备
   - 无线模块：在无线通信模块中，该器件可以用于电源管理和信号切换，确保模块在不同工作模式下的稳定运行。其低功耗特性有助于延长电池寿命，特别适合物联网（IoT）设备。

总之，NTJD4105CT4G 凭借其优异的性能和广泛的适用性，在各种电子设备中扮演着重要角色，尤其是在需要高效能、低功耗和高可靠性的应用场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NTJD4105CT4G
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	46pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	3nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	375 毫欧 @ 630mA，4.5V
供应商器件封装	SC-88/SC70-6/SOT-363
功率-最大值	270mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准包装	10,000
漏源极电压(Vdss)	20V，8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	630mA，775mA