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  • 型号: NTJD4105CT4
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4105CT4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4105CT4价格参考。ON SemiconductorNTJD4105CT4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V,8V 630mA,775mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4105CT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4105CT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTJD4105CT4是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于电力电子和控制电路中。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度、良好的热性能以及较高的电流承载能力,适用于多种电力转换和驱动场景。

 应用场景:

1. 电源管理:
   NTJD4105CT4常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为功率开关器件。它可以有效地控制电压和电流的传输,确保电源系统的稳定性和效率。例如,在DC-DC转换器中,该MOSFET可以实现高效的电压转换,适用于笔记本电脑、智能手机充电器等便携式设备的电源管理。

2. 电机驱动:
   在电机驱动电路中,NTJD4105CT4可以用作驱动信号的放大和传输元件。它能够快速响应PWM(脉宽调制)信号,精确控制电机的速度和方向。常见的应用场景包括无刷直流电机(BLDC)、步进电机和伺服电机的驱动电路。

3. 负载切换:
   该MOSFET也适用于负载切换电路,如继电器替代方案。通过控制栅极电压,可以实现对负载的快速接通和断开操作,适用于家电、工业自动化设备中的负载管理。

4. 保护电路:
   在过流保护、短路保护等安全电路中,NTJD4105CT4可以起到关键作用。当检测到异常电流时,MOSFET可以迅速切断电路,防止损坏其他敏感元件,提高系统的可靠性。

5. 电池管理系统(BMS):
   在电动汽车、储能系统等应用中,NTJD4105CT4可用于电池充放电控制电路。它能够精确控制电池的充放电电流,确保电池的安全和寿命延长。

6. 逆变器:
   在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,NTJD4105CT4可以作为开关元件,将直流电转换为交流电。其高效能和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率。

总之,NTJD4105CT4凭借其优异的电气特性和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

品牌

ON Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

NTJD4105CT4

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

46pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

375 毫欧 @ 630mA,4.5V

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率-最大值

270mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装

10,000

漏源极电压(Vdss)

20V,8V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

630mA,775mA

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