ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > NTJD4105CT4
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4105CT4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4105CT4价格参考。ON SemiconductorNTJD4105CT4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V,8V 630mA,775mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4105CT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4105CT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTJD4105CT4是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于电力电子和控制电路中。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度、良好的热性能以及较高的电流承载能力,适用于多种电力转换和驱动场景。 应用场景: 1. 电源管理: NTJD4105CT4常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为功率开关器件。它可以有效地控制电压和电流的传输,确保电源系统的稳定性和效率。例如,在DC-DC转换器中,该MOSFET可以实现高效的电压转换,适用于笔记本电脑、智能手机充电器等便携式设备的电源管理。 2. 电机驱动: 在电机驱动电路中,NTJD4105CT4可以用作驱动信号的放大和传输元件。它能够快速响应PWM(脉宽调制)信号,精确控制电机的速度和方向。常见的应用场景包括无刷直流电机(BLDC)、步进电机和伺服电机的驱动电路。 3. 负载切换: 该MOSFET也适用于负载切换电路,如继电器替代方案。通过控制栅极电压,可以实现对负载的快速接通和断开操作,适用于家电、工业自动化设备中的负载管理。 4. 保护电路: 在过流保护、短路保护等安全电路中,NTJD4105CT4可以起到关键作用。当检测到异常电流时,MOSFET可以迅速切断电路,防止损坏其他敏感元件,提高系统的可靠性。 5. 电池管理系统(BMS): 在电动汽车、储能系统等应用中,NTJD4105CT4可用于电池充放电控制电路。它能够精确控制电池的充放电电流,确保电池的安全和寿命延长。 6. 逆变器: 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,NTJD4105CT4可以作为开关元件,将直流电转换为交流电。其高效能和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率。 总之,NTJD4105CT4凭借其优异的电气特性和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTJD4105CT4 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 375 毫欧 @ 630mA,4.5V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 270mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 10,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V,8V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 630mA,775mA |