ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > NTJD4105CT2G
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4105CT2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4105CT2G价格参考。ON SemiconductorNTJD4105CT2G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V,8V 630mA,775mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4105CT2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4105CT2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTJD4105CT2G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 375 毫欧 @ 630mA,4.5V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 270mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V,8V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 630mA,775mA |