【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_NTJD4105CT2G】封装/厂家_NTJD4105CT2G中文资料_价格

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型号： NTJD4105CT2G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4105CT2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4105CT2G价格参考。ON SemiconductorNTJD4105CT2G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V，8V 630mA，775mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4105CT2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJD4105CT2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTJD4105CT2G 是一款由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的晶体管阵列，具体来说是 MOSFET 阵列。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种应用场景。以下是其主要应用场景的概述：

 1. 电源管理
   NTJD4105CT2G 广泛应用于电源管理系统中，特别是在需要高效能、低功耗的场合。它可以在 DC-DC 转换器、线性稳压器等电路中作为开关元件使用，帮助实现高效的电压转换和调节。由于其低导通电阻特性，能够减少功率损耗，提高整体效率。

 2. 负载开关
   在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备，负载开关用于控制不同模块的供电状态。NTJD4105CT2G 可以在这些应用中充当负载开关，通过快速开关操作来实现节能效果，并确保系统的稳定性和安全性。

 3. 电机驱动
   该器件也适用于小型电机驱动电路，例如步进电机、直流电机等。MOSFET 的快速开关特性和低导通电阻使其能够在高频工作状态下保持高效运行，同时减少发热问题，延长电机的使用寿命。

 4. 信号切换
   在通信设备和工业控制系统中，NTJD4105CT2G 可用于信号切换电路。它可以快速响应控制信号的变化，实现多路信号之间的切换，确保数据传输的准确性和可靠性。

 5. 保护电路
   NTJD4105CT2G 还可以用于过流保护、短路保护等保护电路中。当检测到异常电流时，MOSFET 可以迅速切断电路，防止损坏其他关键组件，提升系统的安全性和稳定性。

 总结
NTJD4105CT2G 凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动、信号切换和保护电路等领域。它特别适合对功耗和效率有较高要求的应用场景，能够有效提升系统的性能和可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NTJD4105CT2G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	46pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	3nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	375 毫欧 @ 630mA，4.5V
供应商器件封装	SC-88/SC70-6/SOT-363
功率-最大值	270mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	20V，8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	630mA，775mA

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