ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > NTJD4105CT2
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4105CT2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4105CT2价格参考。ON SemiconductorNTJD4105CT2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V,8V 630mA,775mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4105CT2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4105CT2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTJD4105CT2 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管阵列,属于 FET 和 MOSFET 类别。这款器件具有多个 MOSFET 单元集成在一个封装内,适用于多种应用场景,尤其在需要高效、紧凑和低功耗的电路设计中表现出色。 应用场景: 1. 电源管理: NTJD4105CT2 适用于各种电源管理应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高效率,特别适合用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理模块。 2. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中,该器件可以提供高效的开关控制。例如,在无刷直流电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中,NTJD4105CT2 可以实现快速且精确的电流控制,确保电机平稳运行并延长使用寿命。 3. 负载开关: 作为负载开关,NTJD4105CT2 可用于保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。它能够迅速切断电流路径,防止损坏下游元件,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。 4. 电池管理: 在电池管理系统(BMS)中,NTJD4105CT2 可用于电池充放电控制,确保电池在安全范围内工作。它还可以用于电池均衡电路,通过精确控制各电池单元的充放电过程,延长电池组的整体寿命。 5. 信号切换: 该器件也可用于高速信号切换应用,如数据通信、音频信号处理等。其快速开关速度和低寄生电容特性使其能够在高频信号传输中保持良好的性能,减少信号失真。 6. 背光驱动: 在液晶显示器(LCD)和其他显示屏的背光驱动电路中,NTJD4105CT2 可以有效控制LED灯条的亮度,实现均匀的背光效果,同时降低功耗。 总之,NTJD4105CT2 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计,适用于多种高效、紧凑的电子系统,特别是在需要多通道开关控制的应用中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTJD4105CT2 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 375 毫欧 @ 630mA,4.5V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 270mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V,8V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 630mA,775mA |