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  • 型号: NTHS4101PT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTHS4101PT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTHS4101PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHS4101PT1G价格参考。ON SemiconductorNTHS4101PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 4.8A(Tj) 1.3W(Ta) ChipFET™。您可以下载NTHS4101PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTHS4101PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTHS4101PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
NTHS4101PT1G 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等电源管理系统中。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗,提高效率,特别适合需要高能效的电源设计。它可以在高频下工作,适用于同步整流、降压或升压转换器等应用。

 2. 电机驱动
在小型电机驱动应用中,如无人机、机器人、智能家居设备等,NTHS4101PT1G 可以作为功率级元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性使其成为高效电机驱动的理想选择。

 3. 电池管理系统
该 MOSFET 还可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制。通过精确控制电流流动,确保电池的安全和寿命。例如,在锂电池保护电路中,NTHS4101PT1G 可以防止过充、过放和短路等情况的发生。

 4. 负载开关
在消费电子、工业自动化等领域,NTHS4101PT1G 可用作负载开关,控制不同负载的通断。它的低导通电阻和快速响应时间使得它能够在瞬间切换负载状态,减少能量损失并提高系统的可靠性。

 5. 信号切换
在通信设备、音频处理系统等场景中,NTHS4101PT1G 可用于信号切换,特别是在需要高速、低噪声的应用中。其低栅极电荷和快速开关特性有助于实现高效的信号传输和处理。

 6. 便携式设备
对于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品,NTHS4101PT1G 的小封装和低功耗特性非常适合这些对空间和能耗要求严格的设备。它可以用于电源管理、充电电路、背光驱动等模块。

总的来说,NTHS4101PT1G 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸,广泛应用于各类需要高效功率管理和信号处理的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFETMOSFET -20V -6.7A P-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 6.7 A

Id-连续漏极电流

- 6.7 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHS4101PT1G-

数据手册

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产品型号

NTHS4101PT1G

Pd-PowerDissipation

1.3 W

Pd-功率耗散

1.3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

42 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

42 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

28 ns

下降时间

28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2100pF @ 16V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

34 毫欧 @ 4.8A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ChipFET™

其它名称

NTHS4101PT1GOSCT

典型关闭延迟时间

75 ns

功率-最大值

1.3W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

1206-8 ChipFET

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

15 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.8A (Tj)

系列

NTHS4101P

通道模式

Enhancement

配置

Single Hex Drain

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