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NTHS4101PT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHS4101PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHS4101PT1G价格参考。ON SemiconductorNTHS4101PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 4.8A(Tj) 1.3W(Ta) ChipFET™。您可以下载NTHS4101PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTHS4101PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHS4101PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 NTHS4101PT1G 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等电源管理系统中。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗,提高效率,特别适合需要高能效的电源设计。它可以在高频下工作,适用于同步整流、降压或升压转换器等应用。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,如无人机、机器人、智能家居设备等,NTHS4101PT1G 可以作为功率级元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性使其成为高效电机驱动的理想选择。 3. 电池管理系统 该 MOSFET 还可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制。通过精确控制电流流动,确保电池的安全和寿命。例如,在锂电池保护电路中,NTHS4101PT1G 可以防止过充、过放和短路等情况的发生。 4. 负载开关 在消费电子、工业自动化等领域,NTHS4101PT1G 可用作负载开关,控制不同负载的通断。它的低导通电阻和快速响应时间使得它能够在瞬间切换负载状态,减少能量损失并提高系统的可靠性。 5. 信号切换 在通信设备、音频处理系统等场景中,NTHS4101PT1G 可用于信号切换,特别是在需要高速、低噪声的应用中。其低栅极电荷和快速开关特性有助于实现高效的信号传输和处理。 6. 便携式设备 对于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品,NTHS4101PT1G 的小封装和低功耗特性非常适合这些对空间和能耗要求严格的设备。它可以用于电源管理、充电电路、背光驱动等模块。 总的来说,NTHS4101PT1G 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸,广泛应用于各类需要高效功率管理和信号处理的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFETMOSFET -20V -6.7A P-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.7 A |
Id-连续漏极电流 | - 6.7 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHS4101PT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTHS4101PT1G |
Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 28 ns |
下降时间 | 28 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2100pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 34 毫欧 @ 4.8A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | ChipFET™ |
其它名称 | NTHS4101PT1GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 75 ns |
功率-最大值 | 1.3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 15 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.8A (Tj) |
系列 | NTHS4101P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Hex Drain |