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NTHD3102CT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD3102CT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD3102CT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD3102CT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 4A,3.1A 1.1W 表面贴装 ChipFET™。您可以下载NTHD3102CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTHD3102CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD3102CT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管阵列,属于 FET 和 MOSFET 类别。该型号具有多种应用场景,特别是在需要高效、低功耗和紧凑设计的电路中表现出色。 应用场景: 1. 电源管理: NTHD3102CT1G 常用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、线性稳压器和开关模式电源(SMPS)。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率,特别适用于便携式设备和电池供电系统。 2. 电机控制: 该器件可用于驱动小型直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。MOSFET 阵列能够提供高效的开关性能,确保电机运行平稳且能耗较低,广泛应用于消费电子、工业自动化和智能家居产品中。 3. 负载开关: 在需要频繁切换负载的应用中,NTHD3102CT1G 可作为负载开关使用。它能够在高频率下快速开关,同时保持低导通电阻,适用于 USB 充电端口、智能插座和其他需要精确控制电流路径的场合。 4. 信号切换与保护: 该 MOSFET 阵列还适用于信号切换电路,如音频放大器中的输入选择、数据总线切换等。此外,它可以用于过流保护、短路保护和热关断功能,确保电路在异常情况下不会受损。 5. 背光驱动: 在液晶显示器(LCD)和 LED 背光模块中,NTHD3102CT1G 可用于驱动背光灯条,实现亮度调节和节能效果。其低导通电阻有助于降低发热,延长背光系统的使用寿命。 6. 通信设备: 在无线通信设备、路由器和调制解调器中,NTHD3102CT1G 可用于电源管理和信号处理,确保设备在高效工作的同时保持低功耗。 总之,NTHD3102CT1G 凭借其优异的电气特性、紧凑的封装和广泛的应用范围,成为许多电子产品设计中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206AMOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHD3102CT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTHD3102CT1G |
Pd-PowerDissipation | 0.6 W |
Pd-功率耗散 | 600 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms, 80 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 15.9 ns, 16.9 ns |
下降时间 | 15.9 ns, 16.9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.9nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 4.4A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | ChipFET™ |
其它名称 | NTHD3102CT1GOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 16.4 ns, 15.7 ns |
功率-最大值 | 1.1W |
功率耗散 | 0.6 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 45 mOhms at 4.5 V at N Channel, 80 mOhms at 4.5 V at P Channel |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 7.7 S, 5.9 S |
汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 5.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A, 3.1A |
系列 | NTHD3102C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |
闸/源击穿电压 | +/- 8 V |