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  • 型号: NTHD3102CT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTHD3102CT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD3102CT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD3102CT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD3102CT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 4A,3.1A 1.1W 表面贴装 ChipFET™。您可以下载NTHD3102CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTHD3102CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTHD3102CT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管阵列,属于 FET 和 MOSFET 类别。该型号具有多种应用场景,特别是在需要高效、低功耗和紧凑设计的电路中表现出色。

 应用场景:

1. 电源管理:
   NTHD3102CT1G 常用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、线性稳压器和开关模式电源(SMPS)。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高转换效率,特别适用于便携式设备和电池供电系统。

2. 电机控制:
   该器件可用于驱动小型直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。MOSFET 阵列能够提供高效的开关性能,确保电机运行平稳且能耗较低,广泛应用于消费电子、工业自动化和智能家居产品中。

3. 负载开关:
   在需要频繁切换负载的应用中,NTHD3102CT1G 可作为负载开关使用。它能够在高频率下快速开关,同时保持低导通电阻,适用于 USB 充电端口、智能插座和其他需要精确控制电流路径的场合。

4. 信号切换与保护:
   该 MOSFET 阵列还适用于信号切换电路,如音频放大器中的输入选择、数据总线切换等。此外,它可以用于过流保护、短路保护和热关断功能,确保电路在异常情况下不会受损。

5. 背光驱动:
   在液晶显示器(LCD)和 LED 背光模块中,NTHD3102CT1G 可用于驱动背光灯条,实现亮度调节和节能效果。其低导通电阻有助于降低发热,延长背光系统的使用寿命。

6. 通信设备:
   在无线通信设备、路由器和调制解调器中,NTHD3102CT1G 可用于电源管理和信号处理,确保设备在高效工作的同时保持低功耗。

总之,NTHD3102CT1G 凭借其优异的电气特性、紧凑的封装和广泛的应用范围,成为许多电子产品设计中的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206AMOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-连续漏极电流

5.5 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHD3102CT1G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

NTHD3102CT1G

Pd-PowerDissipation

0.6 W

Pd-功率耗散

600 mW

RdsOn-漏源导通电阻

45 mOhms, 80 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

15.9 ns, 16.9 ns

下降时间

15.9 ns, 16.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

510pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 毫欧 @ 4.4A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ChipFET™

其它名称

NTHD3102CT1GOSDKR

典型关闭延迟时间

16.4 ns, 15.7 ns

功率-最大值

1.1W

功率耗散

0.6 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

45 mOhms at 4.5 V at N Channel, 80 mOhms at 4.5 V at P Channel

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

1206-8 ChipFET

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

7.7 S, 5.9 S

汲极/源极击穿电压

+/- 20 V

漏极连续电流

5.5 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A, 3.1A

系列

NTHD3102C

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

闸/源击穿电压

+/- 8 V

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