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Datasheet下载- 型号： NTHD3102CT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NTHD3102CT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD3102CT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD3102CT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD3102CT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 4A，3.1A 1.1W 表面贴装 ChipFET™。您可以下载NTHD3102CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD3102CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206AMOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHD3102CT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTHD3102CT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.6 W |
| Pd-功率耗散 | 600 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms, 80 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 15.9 ns, 16.9 ns |
| 下降时间 | 15.9 ns, 16.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD3102CT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 16.4 ns, 15.7 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 功率耗散 | 0.6 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 45 mOhms at 4.5 V at N Channel, 80 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7.7 S, 5.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 5.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A， 3.1A |
| 系列 | NTHD3102C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |
