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Datasheet下载- 型号： NTHD3100CT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD3100CT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD3100CT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD3100CT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 2.9A，3.2A 1.1W 表面贴装 ChipFET™。您可以下载NTHD3100CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD3100CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD3100CT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。以下是该型号的应用场景分析： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：NTHD3100CT1G 的低导通电阻特性使其非常适合用于高效能的开关电源设计中，能够减少功率损耗并提高转换效率。 - 负载开关：在需要快速切换负载电流的场合，如便携式电子设备和嵌入式系统中，该器件可以提供可靠的负载开关功能。 2. 电机控制 - 小型直流电机驱动：由于其出色的开关性能和低功耗特点，适用于驱动小型直流电机或步进电机，广泛应用于家用电器、玩具和自动化设备。 - H桥电路：可用于构建 H 桥驱动电路，以实现对电机的正反转控制。 3. 信号切换 - 多路复用器/解复用器：利用 MOSFET 阵列的特性，可以实现多路信号的切换功能，适用于通信设备和数据采集系统。 - 音频信号切换：在音频设备中，该器件可用于切换不同的输入信号源，确保信号传输的稳定性和低失真。 4. 保护电路 - 过流保护：通过监测电流并通过内部限流机制保护下游电路免受过载损害。 - 短路保护：在发生短路时迅速切断电流路径，防止损坏其他敏感元件。 5. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于电池充电管理、屏幕背光调节以及外围接口的电流控制。 - 笔记本电脑和其他便携式设备：提供高效的电源分配和热管理解决方案。 6. 工业应用 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：作为输出驱动器，控制继电器、指示灯或其他外部设备。 - 传感器接口：为各种传感器提供精确的电流或电压控制，确保测量结果的准确性。 综上所述，NTHD3100CT1G 凭借其高性能、高可靠性和紧凑封装，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域，特别适合需要高效能、低功耗和小尺寸解决方案的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N+P 20V 2.9A CHIPFETMOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHD3100CT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTHD3100CT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 77 mOhms, 85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V, +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V, 8 V |
| 上升时间 | 10.7 ns, 11.7 ns |
| 下降时间 | 10.7 ns, 11.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 165pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD3100CT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 9.6 ns, 16 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 功率耗散 | 1.1 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 80 mOhms at 4.5 V |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S, 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 3.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A，3.2A |
| 系列 | NTHD3100C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
| 闸/源击穿电压 | +/- 12 V, +/- 8 V |
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