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Datasheet下载- 型号： NTHD2102PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD2102PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD2102PT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD2102PT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 8V 3.4A 1.1W 表面贴装 ChipFET™。您可以下载NTHD2102PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD2102PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD2102PT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 NTHD2102PT1G 可用于各种电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，它可以帮助延长电池寿命。 2. 电机驱动 该 MOSFET 阵列可以用于小型电机的驱动控制，例如步进电机、直流无刷电机等。由于其快速的开关特性和低导通电阻，它可以有效地控制电机的速度和方向，同时减少发热和能量损失。常见的应用包括智能家居设备、机器人和自动化控制系统。 3. 信号切换 NTHD2102PT1G 也可用于信号切换电路，特别是在需要高速切换的应用中。例如，在音频设备中，它可以用于切换不同的输入或输出信号路径，确保信号传输的稳定性和可靠性。此外，它还可以用于数据通信设备中的信号路由和隔离。 4. 保护电路 该器件可用于过流保护、短路保护和热保护等电路中。通过检测电流和温度，MOSFET 可以在异常情况下迅速切断电路，防止损坏其他元件。这在工业控制、汽车电子和其他对安全要求较高的领域中尤为重要。 5. 消费电子 在消费电子产品中，NTHD2102PT1G 可用于实现高效能的电源管理和信号处理。例如，在智能手表、可穿戴设备和其他小型电子产品中，它可以提供稳定的电源供应和快速响应的信号切换功能。 总之，NTHD2102PT1G 的高性能和可靠性使其成为多种应用场景的理想选择，尤其是在需要高效电源管理、快速开关和低功耗的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD2102PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 715pF @ 6.4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 2.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD2102PT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A |
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