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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD2102PT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD2102PT1价格参考。ON SemiconductorNTHD2102PT1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 8V 3.4A 1.1W 表面贴装 ChipFET™。您可以下载NTHD2102PT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTHD2102PT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTHD2102PT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 715pF @ 6.4V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 2.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 58 毫欧 @ 3.4A,4.5V |
供应商器件封装 | ChipFET™ |
其它名称 | NTHD2102PT1OS |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 8V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.4A |