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型号： NTHD2102PT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD2102PT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD2102PT1价格参考。ON SemiconductorNTHD2102PT1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 8V 3.4A 1.1W 表面贴装 ChipFET™。您可以下载NTHD2102PT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD2102PT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTHD2102PT1 是由 ON Semiconductor 生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于多种应用场景，特别是在需要高效功率管理、信号切换或负载控制的电路中。

 1. 电源管理
NTHD2102PT1 可用于电源管理应用，如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高效率。此外，MOSFET 的快速开关特性使得它在高频开关电源中表现出色，能够有效降低开关损耗，提升整体性能。

 2. 电机驱动
在小型电机驱动应用中，NTHD2102PT1 可以作为功率级元件，用于控制电机的启动、停止和调速。由于其低导通电阻和快速响应时间，它可以有效地减少电机运行时的功耗，并提供更精确的控制。

 3. 负载开关
该器件适用于负载开关应用，如手机、平板电脑等便携式设备中的电源路径管理。通过控制 MOSFET 的导通与关断，可以实现对不同负载的供电管理，确保系统在待机或关闭状态下不会消耗不必要的电流。

 4. 电池管理系统
在电池管理系统（BMS）中，NTHD2102PT1 可用于电池充放电保护电路。当检测到过流、过压或欠压等异常情况时，MOSFET 可以迅速切断电池与负载之间的连接，防止电池损坏或发生危险。

 5. LED 驱动
对于 LED 驱动电路，NTHD2102PT1 可以用作电流调节元件，确保 LED 在不同工作条件下保持稳定的亮度。其低导通电阻有助于减少发热，延长 LED 的使用寿命。

 6. 信号切换
在通信设备或工业控制系统中，NTHD2102PT1 可用于信号切换电路，实现不同信号源之间的快速切换。其低寄生电容和快速开关速度使其适合高频信号处理应用。

总之，NTHD2102PT1 凭借其优异的电气特性，在电源管理、电机驱动、负载开关、电池管理、LED 驱动以及信号切换等多种应用场景中展现出广泛的应用潜力。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NTHD2102PT1
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	715pF @ 6.4V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	16nC @ 2.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	58 毫欧 @ 3.4A，4.5V
供应商器件封装	ChipFET™
其它名称	NTHD2102PT1OS
功率-最大值	1.1W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.4A