【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_NTHC5513T1G】封装/厂家_NTHC5513T1G中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > NTHC5513T1G

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： NTHC5513T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

NTHC5513T1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTHC5513T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHC5513T1G价格参考￥2.87-￥6.70。ON SemiconductorNTHC5513T1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 2.9A，2.2A 1.1W 表面贴装 ChipFET™。您可以下载NTHC5513T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHC5513T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206AMOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
Id-连续漏极电流	3.9 A
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHC5513T1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NTHC5513T1G
Pd-PowerDissipation	1.1 W
Pd-功率耗散	1.1 W
RdsOn-漏源导通电阻	80 mOhms, 155 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	9 ns, 13 ns
下降时间	3 ns, 27 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	180pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	4nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	ChipFET™
其它名称	NTHC5513T1GOS NTHC5513T1GOS-ND NTHC5513T1GOSTR
典型关闭延迟时间	10 ns, 33 ns
功率-最大值	1.1W
包装	带卷（TR）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	80 mOhms at 4.5 V at N Channel, 155 mOhms at 4.5 V at P Channel
封装	Reel
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
封装/箱体	1206-8 ChipFET
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N and P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	3,000
正向跨导-最小值	6 S
汲极/源极击穿电压	+/- 20 V
漏极连续电流	3.9 A
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.9A，2.2A
系列	NTHC5513
通道模式	Enhancement
配置	Complementary