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  • 型号: NTGS4111PT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTGS4111PT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTGS4111PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGS4111PT1G价格参考¥1.02-¥1.09。ON SemiconductorNTGS4111PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 2.6A(Ta) 630mW(Ta) 6-TSOP。您可以下载NTGS4111PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTGS4111PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTGS4111PT1G是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号的应用场景非常广泛,特别是在需要高效、低功耗和高开关速度的电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   NTGS4111PT1G常用于各种电源管理电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、线性稳压器等。它具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够减少功率损耗,提高效率。在这些应用中,MOSFET作为开关元件,控制电流的通断,确保电源系统稳定可靠。

 2. 电机驱动
   在电机驱动电路中,NTGS4111PT1G可以用于控制电机的启动、停止和调速。由于其快速的开关特性,它可以有效地降低电机启动时的冲击电流,并且能够在高频下工作,适合无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机驱动应用。

 3. 电池管理系统(BMS)
   在电池管理系统中,NTGS4111PT1G可以用作充电/放电路径的控制开关。它能够精确地控制电流流向,防止过充、过放和短路等异常情况的发生,保护电池的安全性和延长使用寿命。

 4. 负载切换
   在智能设备和工业控制系统中,NTGS4111PT1G可以用于负载切换电路。它能够快速响应控制信号,实现对不同负载的通断控制,适用于LED照明、风扇控制、继电器替代等场景。

 5. 逆变器与变频器
   在逆变器和变频器中,NTGS4111PT1G可以作为功率级的关键元件,用于将直流电转换为交流电,或者调节输出频率。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高系统的整体效率和可靠性。

 6. 消费电子
   在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中,NTGS4111PT1G可用于电源管理模块、USB充电接口保护、音频放大器等场景,提供高效的电源管理和保护功能。

总的来说,NTGS4111PT1G凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、电池管理、负载切换、逆变器以及消费电子产品等领域有着广泛的应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOPMOSFET -30V -4.7A P-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.7 A

Id-连续漏极电流

- 4.7 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTGS4111PT1G-

数据手册

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产品型号

NTGS4111PT1G

Pd-PowerDissipation

1.25 W

Pd-功率耗散

1.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

68 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

68 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

15 ns, 9 ns

下降时间

15 ns, 9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

750pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 3.7A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

NTGS4111PT1GOSTR

典型关闭延迟时间

28 ns, 38 ns

功率-最大值

630mW

功率耗散

1.25 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

68 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

6 S

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 4.7 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.6A (Ta)

系列

NTGS4111P

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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