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NTGS4111PT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGS4111PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGS4111PT1G价格参考¥1.02-¥1.09。ON SemiconductorNTGS4111PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 2.6A(Ta) 630mW(Ta) 6-TSOP。您可以下载NTGS4111PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTGS4111PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGS4111PT1G是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号的应用场景非常广泛,特别是在需要高效、低功耗和高开关速度的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 NTGS4111PT1G常用于各种电源管理电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、线性稳压器等。它具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够减少功率损耗,提高效率。在这些应用中,MOSFET作为开关元件,控制电流的通断,确保电源系统稳定可靠。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中,NTGS4111PT1G可以用于控制电机的启动、停止和调速。由于其快速的开关特性,它可以有效地降低电机启动时的冲击电流,并且能够在高频下工作,适合无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机驱动应用。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,NTGS4111PT1G可以用作充电/放电路径的控制开关。它能够精确地控制电流流向,防止过充、过放和短路等异常情况的发生,保护电池的安全性和延长使用寿命。 4. 负载切换 在智能设备和工业控制系统中,NTGS4111PT1G可以用于负载切换电路。它能够快速响应控制信号,实现对不同负载的通断控制,适用于LED照明、风扇控制、继电器替代等场景。 5. 逆变器与变频器 在逆变器和变频器中,NTGS4111PT1G可以作为功率级的关键元件,用于将直流电转换为交流电,或者调节输出频率。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高系统的整体效率和可靠性。 6. 消费电子 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中,NTGS4111PT1G可用于电源管理模块、USB充电接口保护、音频放大器等场景,提供高效的电源管理和保护功能。 总的来说,NTGS4111PT1G凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、电池管理、负载切换、逆变器以及消费电子产品等领域有着广泛的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOPMOSFET -30V -4.7A P-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.7 A |
Id-连续漏极电流 | - 4.7 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTGS4111PT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTGS4111PT1G |
Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
Pd-功率耗散 | 1.25 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 68 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 68 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 15 ns, 9 ns |
下降时间 | 15 ns, 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 3.7A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | NTGS4111PT1GOSTR |
典型关闭延迟时间 | 28 ns, 38 ns |
功率-最大值 | 630mW |
功率耗散 | 1.25 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 68 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 6 S |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 4.7 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Ta) |
系列 | NTGS4111P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |