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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGS3136PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGS3136PT1G价格参考。ON SemiconductorNTGS3136PT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTGS3136PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTGS3136PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGS3136PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: NTGS3136PT1G 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 15 mΩ @ Vgs = 4.5V)和高开关速度使其非常适合用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器以及开关模式电源(SMPS)。它可以高效地控制电流流动,减少功率损耗。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,这款 MOSFET 可以用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。其低导通电阻有助于降低电机运行时的发热问题。 3. 负载开关: 由于其低导通电阻和小封装尺寸(SOT-23),该器件非常适合用作便携式电子设备中的负载开关,例如手机、平板电脑和其他电池供电设备。它能够快速响应并切换负载,同时减少功耗。 4. 电池保护: 在锂电池保护电路中,NTGS3136PT1G 可以用作过流保护或短路保护开关。当检测到异常情况时,MOSFET 会迅速切断电路,防止电池受损。 5. 信号切换: 在需要高频信号切换的应用中,例如音频信号处理或数据通信接口,该 MOSFET 的低电容和快速开关特性可以确保信号完整性。 6. 汽车电子: 尽管其额定电压较低(30V),但在某些低电压汽车应用中(如车内照明、传感器控制等),NTGS3136PT1G 也可以作为开关元件使用。 总结来说,NTGS3136PT1G 因其出色的性能参数和紧凑的封装设计,广泛应用于消费类电子产品、工业设备、通信设备以及汽车电子等领域,特别是在需要高效功率转换和低功耗的场景中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTGS3136PT1G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1901pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 33 毫欧 @ 5.1A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | NTGS3136PT1GOSDKR |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.7A (Ta) |