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  • 型号: NTGD4167CT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTGD4167CT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTGD4167CT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGD4167CT1G价格参考。ON SemiconductorNTGD4167CT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 2.6A,1.9A 900mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载NTGD4167CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTGD4167CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTGD4167CT1G是由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的晶体管,具体属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景,广泛适用于各种电源管理和信号处理应用。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - DC-DC转换器:在降压、升压或反相转换器中,NTGD4167CT1G可以作为同步整流器中的开关元件,提高转换效率,减少功率损耗。
   - 负载开关:用于控制电路中的电源通断,确保在不需要供电时完全切断电流路径,降低静态功耗。

2. 电池管理系统:
   - 电池保护电路:在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,该器件可用于电池充电和放电路径的控制,防止过充、过放和短路等异常情况。
   - 多节电池均衡:通过精确控制每个电池单元的充放电状态,延长电池组的使用寿命。

3. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,NTGD4167CT1G可用于驱动电机的相位切换,提供高效的功率传输和快速响应。
   - 步进电机控制:用于精密定位系统,如打印机、扫描仪和机器人手臂,实现平稳、准确的运动控制。

4. 通信设备:
   - 射频前端模块:在基站、路由器和其他无线通信设备中,该器件可用于开关天线路径,优化信号传输性能。
   - 电源分配网络:为通信模块的不同部分提供稳定的电源供应,确保系统的可靠运行。

5. 消费电子:
   - USB Type-C接口保护:在支持快充协议的设备中,NTGD4167CT1G可用于保护接口免受过电压和过电流的影响,同时实现快速充电功能。
   - 音频放大器:用于开关音频信号路径,减少噪声和失真,提升音质表现。

总之,NTGD4167CT1G凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,成为多种应用场景中的理想选择,特别是在需要高效能和紧凑设计的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOPMOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

2.2 A

Id-连续漏极电流

2.2 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTGD4167CT1G-

数据手册

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产品型号

NTGD4167CT1G

Pd-PowerDissipation

1100 mW

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

90 mOhms at 4.5 V at N Channel, 170 mOhms at 4.5 V at P Channel

RdsOn-漏源导通电阻

90 mOhms, 170 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

4 ns, 8 ns

下降时间

4 ns, 8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

295pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 2.6A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

NTGD4167CT1GOSCT

典型关闭延迟时间

14 ns, 22 ns

功率-最大值

900mW

功率耗散

1100 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

90 mOhms at 4.5 V at N Channel, 170 mOhms at 4.5 V at P Channel

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

2.2 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.6A,1.9A

系列

NTGD4167C

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

闸/源击穿电压

+/- 12 V

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