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NTGD4167CT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGD4167CT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGD4167CT1G价格参考。ON SemiconductorNTGD4167CT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 2.6A,1.9A 900mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载NTGD4167CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTGD4167CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGD4167CT1G是由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的晶体管,具体属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景,广泛适用于各种电源管理和信号处理应用。 应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:在降压、升压或反相转换器中,NTGD4167CT1G可以作为同步整流器中的开关元件,提高转换效率,减少功率损耗。 - 负载开关:用于控制电路中的电源通断,确保在不需要供电时完全切断电流路径,降低静态功耗。 2. 电池管理系统: - 电池保护电路:在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,该器件可用于电池充电和放电路径的控制,防止过充、过放和短路等异常情况。 - 多节电池均衡:通过精确控制每个电池单元的充放电状态,延长电池组的使用寿命。 3. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,NTGD4167CT1G可用于驱动电机的相位切换,提供高效的功率传输和快速响应。 - 步进电机控制:用于精密定位系统,如打印机、扫描仪和机器人手臂,实现平稳、准确的运动控制。 4. 通信设备: - 射频前端模块:在基站、路由器和其他无线通信设备中,该器件可用于开关天线路径,优化信号传输性能。 - 电源分配网络:为通信模块的不同部分提供稳定的电源供应,确保系统的可靠运行。 5. 消费电子: - USB Type-C接口保护:在支持快充协议的设备中,NTGD4167CT1G可用于保护接口免受过电压和过电流的影响,同时实现快速充电功能。 - 音频放大器:用于开关音频信号路径,减少噪声和失真,提升音质表现。 总之,NTGD4167CT1G凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,成为多种应用场景中的理想选择,特别是在需要高效能和紧凑设计的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOPMOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6 |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTGD4167CT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTGD4167CT1G |
Pd-PowerDissipation | 1100 mW |
Pd-功率耗散 | 1.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms at 4.5 V at N Channel, 170 mOhms at 4.5 V at P Channel |
RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms, 170 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 4 ns, 8 ns |
下降时间 | 4 ns, 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 2.6A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | NTGD4167CT1GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 14 ns, 22 ns |
功率-最大值 | 900mW |
功率耗散 | 1100 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 90 mOhms at 4.5 V at N Channel, 170 mOhms at 4.5 V at P Channel |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 2.2 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A,1.9A |
系列 | NTGD4167C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |
闸/源击穿电压 | +/- 12 V |