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  • 型号: NTGD3149CT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTGD3149CT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGD3149CT1G价格参考。ON SemiconductorNTGD3149CT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTGD3149CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTGD3149CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOPMOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

3.5 A

Id-连续漏极电流

3.5 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTGD3149CT1G-

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产品型号

NTGD3149CT1G

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

900 mW

Pd-功率耗散

900 mW

Qg-GateCharge

4.6 nC, 5.2 nC

Qg-栅极电荷

4.6 nC, 5.2 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

3.8 nS, 5.3 nS

下降时间

2.4 nS, 29.5 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

387pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 3.5A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

典型关闭延迟时间

16.4 nS, 33.3 nS

功率-最大值

900mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

60 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

4.7 S, 5.1 S

汲极/源极击穿电压

+/- 20 V

漏极连续电流

3.5 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.2A,2.4A

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

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