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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOPMOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTGD3149CT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTGD3149CT1G |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 900 mW |
Pd-功率耗散 | 900 mW |
Qg-GateCharge | 4.6 nC, 5.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 4.6 nC, 5.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 3.8 nS, 5.3 nS |
下降时间 | 2.4 nS, 29.5 nS |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 387pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
典型关闭延迟时间 | 16.4 nS, 33.3 nS |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 60 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 4.7 S, 5.1 S |
汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 3.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A,2.4A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |