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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 12A IPAKMOSFET NFET DPAK 60V 12A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTDV3055L104-1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTDV3055L104-1G |
Pd-PowerDissipation | 48 W |
Pd-功率耗散 | 48 W |
Qg-GateCharge | 20 nC |
Qg-栅极电荷 | 20 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 104 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 104 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 70 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
上升时间 | 210 ns |
下降时间 | 80 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 104 毫欧 @ 6A,5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
封装/箱体 | DPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta) |
系列 | NTD3055L104 |