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  • 型号: NTDV3055L104-1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTDV3055L104-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTDV3055L104-1G价格参考。ON SemiconductorNTDV3055L104-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTDV3055L104-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTDV3055L104-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 12A IPAKMOSFET NFET DPAK 60V 12A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTDV3055L104-1G-

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产品型号

NTDV3055L104-1G

Pd-PowerDissipation

48 W

Pd-功率耗散

48 W

Qg-GateCharge

20 nC

Qg-栅极电荷

20 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

104 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

104 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

70 V

Vds-漏源极击穿电压

70 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2 V

上升时间

210 ns

下降时间

80 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

440pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

104 毫欧 @ 6A,5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

1.5W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

DPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Ta)

系列

NTD3055L104

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