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型号： NTDV20N06LT4G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTDV20N06LT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTDV20N06LT4G价格参考。ON SemiconductorNTDV20N06LT4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） DPAK。您可以下载NTDV20N06LT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTDV20N06LT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTDV20N06LT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域：

 1. 开关电源 (SMPS)
   - NTDV20N06LT4G 的耐压为 60V，导通电阻低至 2.3mΩ（典型值），非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如，降压或升压转换器、DC-DC 转换器等。
   - 其快速开关特性和低 Rds(on) 可以提高效率并降低功率损耗。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 适用于低电压电机驱动电路，如小型直流电机、步进电机或伺服电机的控制。
   - 在 H 桥或半桥拓扑中，NTDV20N06LT4G 可用作功率级开关器件，实现对电机的速度和方向控制。

 3. 负载开关
   - 在消费电子设备中，NTDV20N06LT4G 可用作高效的负载开关，用于动态管理电源分配。
   - 它能够快速响应负载变化，并且由于其低导通电阻，可以减少发热和功耗。

 4. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电池保护和管理电路中，NTDV20N06LT4G 可用于过流保护、短路保护以及充放电控制。
   - 其低导通电阻有助于降低电池路径上的能量损耗，延长电池寿命。

 5. 逆变器
   - 在小型逆变器设计中，NTDV20N06LT4G 可作为功率开关，将直流电转换为交流电。
   - 它适合应用于便携式逆变器、太阳能微逆变器或其他低功率逆变器场景。

 6. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中，NTDV20N06LT4G 可用于车身控制模块 (BCM)、LED 照明驱动、风扇控制等。
   - 其符合 AEC-Q101 标准（如果适用版本），确保在恶劣环境下的可靠运行。

 7. 工业自动化
   - 该 MOSFET 可用于工业控制中的电磁阀驱动、继电器驱动或其他需要高效开关的应用。
   - 其耐用性和稳定性使其适合长时间运行的工业设备。

 总结
NTDV20N06LT4G 凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。它特别适合需要高效功率转换和低功耗的场景，是一款高性能的 N 沟道 MOSFET。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	NTDV20N06LT4G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	990pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	32nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	48 毫欧 @ 10A，5V
供应商器件封装	DPAK-3
功率-最大值	1.36W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Ta）