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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD85N02R-001 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.7nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.2 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | NTD85N02R-001OS |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 24V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 85A (Tc) |