【NTD6415AN-1G/规格参数】厂家_NTD6415AN-1G中文资料_价格

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型号： NTD6415AN-1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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NTD6415AN-1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD6415AN-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供NTD6415AN-1G价格参考￥6.35-￥15.90以及ON SemiconductorNTD6415AN-1G封装/规格参数等产品信息。你可以下载NTD6415AN-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD6415AN-1G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 23A IPAKMOSFET NFET IPAK 100V 22A 55MOHM
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	23 A
Id-连续漏极电流	23 A
品牌	ON Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD6415AN-1G-
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产品型号	NTD6415AN-1G
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Pd-PowerDissipation	83 W
Pd-功率耗散	83 W
Qg-GateCharge	29 nC
Qg-栅极电荷	29 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	55 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	55 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2 V to 4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2 V to 4 V
上升时间	37 ns
下降时间	37 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	29nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	55 毫欧 @ 23A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	I-Pak
其它名称	NTD6415AN-1G-ND NTD6415AN-1GOS
典型关闭延迟时间	30 ns
功率-最大值	83W
包装	管件
商标	ON Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
封装/箱体	IPAK-3
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	75
正向跨导-最小值	13 S
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	23A （Tc）
配置	Single