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  • 型号: NTD4969NT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4969NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4969NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4969NT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4969NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4969NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 41A DPAKMOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12.7 A

Id-连续漏极电流

12.7 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4969NT4G-

数据手册

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产品型号

NTD4969NT4G

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

1.38 W, 2.56 W, 26.3 W

Pd-功率耗散

26.3 W

Qg-GateCharge

9 nC

Qg-栅极电荷

9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

19 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

19 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

837pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

1.38W

功率耗散

1.38 W, 2.56 W, 26.3 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

19 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

9 nC

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

36 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

12.7 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.4A (Ta), 41A (Tc)

系列

NTD4969N

配置

Single

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