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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4863N-35G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4863N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4863N-35G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4863N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4863N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAKMOSFET NFET 25V 49A 0.0093R DPAK |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11.3 A |
Id-连续漏极电流 | 11.3 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4863N-35G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTD4863N-35G |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 1.27 W |
Pd-功率耗散 | 1.27 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 19.7 ns |
下降时间 | 3.6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 990pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.3 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
典型关闭延迟时间 | 20.2 ns |
功率-最大值 | 1.27W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.2A (Ta), 49A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |