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  • 型号: NTD4858N-35G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4858N-35G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4858N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4858N-35G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4858N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4858N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAKMOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

14 A

Id-连续漏极电流

14 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4858N-35G-

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产品型号

NTD4858N-35G

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

20.2 ns, 17.3 ns

下降时间

5.1 ns, 2.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1563pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

19.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.2 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

Transistors Bipolar- Bias Resistor

供应商器件封装

I-Pak

典型关闭延迟时间

16.4 ns, 23.8 ns

功率-最大值

1.3W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

6.2 mOhms

封装/外壳

TO-251-3 短截引线,IPak

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

14 A

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11.2A (Ta), 73A (Tc)

系列

NTD4858N

通道模式

Enhancement

配置

Single

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