数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4804NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4804NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4804NT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4804NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4804NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAKMOSFET NFET 30V 117A 4MOHM |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 117 A |
Id-连续漏极电流 | 117 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4804NT4G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTD4804NT4G |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 20 ns, 19 ns |
下降时间 | 8 ns, 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4490pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | NTD4804NT4GOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 24 ns, 35 ns |
功率-最大值 | 1.43W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 4 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 23 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 117 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14.5A (Ta), 124A (Tc) |
系列 | NTD4804N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |