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  • 型号: NTD20P06LT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD20P06LT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD20P06LT4G价格参考¥1.49-¥1.86。ON SemiconductorNTD20P06LT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 15.5A(Ta) 65W(Tc) DPAK。您可以下载NTD20P06LT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD20P06LT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAKMOSFET -60V -15.5A P-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 15.5 A

Id-连续漏极电流

- 15.5 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD20P06LT4G-

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产品型号

NTD20P06LT4G

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

65 W

Pd-功率耗散

65 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

130 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

130 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

90 ns

下降时间

70 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1190pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

150 毫欧 @ 7.5A,5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

NTD20P06LT4GOSDKR

典型关闭延迟时间

28 ns

功率-最大值

65W

功率耗散

65 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

130 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

17.5 S

汲极/源极击穿电压

- 60 V

漏极连续电流

- 15.5 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15.5A (Ta)

系列

NTD20P06L

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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