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NTD20N06T4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD20N06T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD20N06T4G价格参考。ON SemiconductorNTD20N06T4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.88W(Ta),60W(Tj) DPAK。您可以下载NTD20N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD20N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NTD20N06T4G是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其应用场景广泛,特别是在需要高效开关和功率管理的电路中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理:NTD20N06T4G常用于各种电源管理系统中,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)等。它能够提供高效的开关性能,降低功耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动:在电机控制应用中,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等,NTD20N06T4G可以作为驱动电路中的关键元件,实现对电机电流的精确控制,确保电机平稳运行并减少能量损耗。 3. 电池管理系统(BMS):该MOSFET可用于电池保护电路中,防止过充、过放及短路等情况发生。它具有低导通电阻特性,有助于减少发热,延长电池寿命。 4. 消费电子设备:包括智能手机充电器、笔记本电脑适配器等便携式电子产品中也广泛应用此款MOSFET。它能有效提升设备的充电速度与稳定性,同时保持较小体积的设计要求。 5. 工业自动化:在工业控制系统里,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等场合,NTD20N06T4G凭借其优异的电气参数和可靠性表现,成为理想的开关器件选择。 总之,NTD20N06T4G由于其出色的性能特点,在众多领域都有出色的表现,适用于需要高效率、低损耗以及紧凑设计的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAKMOSFET 60V 20A N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD20N06T4G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTD20N06T4G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 60 W |
Pd-功率耗散 | 60 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 37.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 37.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 60.5 ns |
下降时间 | 37.1 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1015pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 46 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | NTD20N06T4GOSCT |
典型关闭延迟时间 | 27.1 ns |
功率-最大值 | 1.88W |
功率耗散 | 60 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 37.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 13.2 S |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 20 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Ta) |
系列 | NTD20N06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |