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  • 型号: NTD20N06T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTD20N06T4G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD20N06T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD20N06T4G价格参考。ON SemiconductorNTD20N06T4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.88W(Ta),60W(Tj) DPAK。您可以下载NTD20N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD20N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的NTD20N06T4G是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其应用场景广泛,特别是在需要高效开关和功率管理的电路中。以下是该型号的主要应用场景:

1. 电源管理:NTD20N06T4G常用于各种电源管理系统中,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)等。它能够提供高效的开关性能,降低功耗,提高电源转换效率。

2. 电机驱动:在电机控制应用中,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等,NTD20N06T4G可以作为驱动电路中的关键元件,实现对电机电流的精确控制,确保电机平稳运行并减少能量损耗。

3. 电池管理系统(BMS):该MOSFET可用于电池保护电路中,防止过充、过放及短路等情况发生。它具有低导通电阻特性,有助于减少发热,延长电池寿命。

4. 消费电子设备:包括智能手机充电器、笔记本电脑适配器等便携式电子产品中也广泛应用此款MOSFET。它能有效提升设备的充电速度与稳定性,同时保持较小体积的设计要求。

5. 工业自动化:在工业控制系统里,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等场合,NTD20N06T4G凭借其优异的电气参数和可靠性表现,成为理想的开关器件选择。

总之,NTD20N06T4G由于其出色的性能特点,在众多领域都有出色的表现,适用于需要高效率、低损耗以及紧凑设计的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 20A DPAKMOSFET 60V 20A N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD20N06T4G-

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产品型号

NTD20N06T4G

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

37.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

37.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

60.5 ns

下降时间

37.1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1015pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

46 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

NTD20N06T4GOSCT

典型关闭延迟时间

27.1 ns

功率-最大值

1.88W

功率耗散

60 W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

37.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

13.2 S

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

20 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Ta)

系列

NTD20N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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