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NTD20N03L27T4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD20N03L27T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD20N03L27T4G价格参考。ON SemiconductorNTD20N03L27T4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) DPAK。您可以下载NTD20N03L27T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD20N03L27T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD20N03L27T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 用于开关电源(SMPS)中的功率转换电路,如降压、升压或反激式转换器。 - 在 DC-DC 转换器中作为主开关管或同步整流管。 - 适用于电池充电器的功率级控制。 2. 电机驱动 - 驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。 - 用于电机控制中的 H 桥或半桥电路。 3. 负载开关 - 在消费类电子产品中用作高效负载开关,控制设备的电源分配。 - 提供快速开启/关闭功能,同时减少功耗。 4. 保护电路 - 实现过流保护、短路保护或过温保护功能。 - 用于防止系统因异常电流或电压而受损。 5. 汽车电子 - 应用于车载电子设备,如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等电机驱动。 - 适合需要低导通损耗和高可靠性的汽车环境。 6. 工业自动化 - 用于可编程逻辑控制器(PLC)中的输出驱动。 - 控制电磁阀、继电器或其他工业负载。 7. 通信设备 - 在基站、路由器或交换机中作为功率开关。 - 支持高效的信号处理和能量传输。 8. 便携式设备 - 用于笔记本电脑、平板电脑或智能手机的充电管理和电源分配。 - 提供紧凑设计和低功耗特性。 NTD20N03L27T4G 的典型参数(如耐压 30V、低 Rds(on) 等)使其非常适合低压、中等功率的应用场景,同时其出色的效率和可靠性也使其成为许多现代电子设备的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 20A DPAKMOSFET 30V 20A N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD20N03L27T4G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTD20N03L27T4G |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 74 W |
Pd-功率耗散 | 74 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 137 ns |
下降时间 | 31 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1260pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 10A,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | NTD20N03L27T4GOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 38 ns |
功率-最大值 | 1.75W |
功率耗散 | 74 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 27 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 21 S |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 20 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Ta) |
系列 | NTD20N03L27 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |